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電気的特性の最適化は、接触めっき層表面に存在する薄膜および形成される薄膜の制御から考慮することができる。ピン列母の電気性能の主な要件の1つは、安定したピン列母のインピーダンスを確立し、維持することである。この目的を達成するためには、このような固有の安定性を提供するために金属接触界面が必要である。このような接触界面を確立するには、接触嵌合時に表面薄膜を回避または分裂させることが必要である。この2つの異なる選択肢は、貴金属または希少金属と普通の金属の区別を明確にします。貴金属めっき（金、パラジウム、およびそれらの合金など）は、表面薄膜に対して自由な本質である程度が異なる。これらのめっき層にとって界面の金属接触を生成するのは比較的簡単で、接触面の付随物の嵌合時の移動のみを必要とするためである。通常、これは簡単に実現できます。接触界面インピーダンスの安定性を維持するために、列針列母設計は、汚染物質、基材金属の拡散及び接触摩耗などの外的要因の影響を防止するために、接触表面の貴金属性を維持することに注意する必要がある。一般的な金属めっき層、特に錫または錫合金は、自然に酸化薄膜で覆われているように表現される。スズ接触めっき層の作用は、この酸化物層が配合時に破壊されやすく、金属接触が確立されやすいからである。ピン列母設計の要求は、ピン列母嵌合時に酸化膜が破裂することを保証することができ、電気接続ホルダの有効期間内に接触界面が酸化されないことを保証することである。再酸化腐食は摩耗腐食の中で、錫接触めっき層の最も主要な性能劣化メカニズムである。列ピン列母銀接触めっき層は、硫化物や塩化物による腐食を受けやすいため、通常の金属めっき層とすることが好ましい。ガスバルブ経物の形成のため、通常はニッケルめっき層も普通の金属と見なされている。
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